一、开关电源总框图：
最小输入交流电压：85V
最大输入交流电压：265V
二极管导通时间：2.69ms
估计效率：ŋ=78.0%
损耗分配因子：0.46（Z表示次级损耗与总损耗的比值，Z=0表示全部损耗发生在初级，Z=1表示发生在次级）
输出1：电压：12V电流：1A功率：12W
输出2：电压：5V电流：0.1A功率：0.5W
总功率：Po=12.5W
1、整流桥：
最小直流输入电压：Vdc(min)=根号2*Vac(min)=120.19V
最大直流输入电压：Vdc(max)=根号2*Vac(max)=374.71V
输入功率：Pin=Po/ŋ=16W
整流桥反向击穿电压
Umax为最大交流输入电压,Ubr=468.4V
整流桥有效电流
Umin为最小输入电压，cosφ为开关电源功率因数（0.5~0.7，取0.7），Irms=0.27A
IAVG=（0.6~0.7）Irms=0.65*0.27=0.18A
2、滤波电容
Umin为最小交流输入电压，UImin为最小直流输入电压=Pin/Iavg=89V取90V，C1=37uF
3.共模扼流圈
共模扼流圈的电感量与额定电流有关
MOS管由导通到截止时，会的初阶绕组上产生尖峰电压和感应电压，其与直流高压叠加在MOS管的漏极上，容易损坏MOS管，因此加了钳位保护电路
输入直流电压的最大值UImax、一次绕组的感应电压UOR、钳位电压UB与UBM、最大漏极电压UDmax、漏一源击穿电压U(BR)DS
稳压管VR2利用调节流过自身的电流大小（端电压基本不变）来满足负载电流的改变，并和限流电阻R5配合将电流的变化转化为电压的变化以适应电网电压的变化。
输出电压由光耦合器中的LED正向压降，R5上的压降和稳压管VR2之和；
R2和VR2还为12V输出提供一个假负载,用以改善轻载时的稳压性能；LED正向压降与R5压降在1V左右；
当输出电压升高时，R5两端电压也升高，光耦合器二极管导通，导致TNY277的MOS管关闭，即，占空比减小，输出电压降低。
同理，输出电压降低时，TNY277的MOS管占空比增加，使得输出电压增加。
由输出整流二级管D7和LC滤波电路L2、C8以及输出电容C9组成输出电路；R4、C6为削尖峰电路
磁芯：
骨架：
初级引脚4，次级引脚3，最小初级电感49µH，额定初级电感量965µH，磁芯截面积23.00mm²
计算初级电感量Lp=(Vindcmin*Dm)/(Ipk*fosc)=100*0.5/0.297*60000=0.0028H=2.8mH;
计算初级圈数Np=1000*根号下(Lp/Al)=158T;，匝比n=Vo/Vindcmin=0.18
初级绕组线径计算:
a:先算初级电流均值Iprms=Ipk/1.414=0.27A
b:导线截面积S=Iprms/JdJd—单位面积电流自然风冷式取1.5~4A/mm^2，强制式风冷时取3~6取5.3
初级绕组第1部分初级绕组的取整（整数）圈数88Np=1000*根号下(Lp/Al)
初级绕组线径尺寸30=Iprms/Jd
次级1绕组圈数6，次级1绕组线径尺寸27
次级2绕组圈数5，次级2绕组线径尺寸27
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